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品牌普赛斯仪表	有效期至长期有效	最后更新2024-05-29 11:37
测试频率10Hz-1MHz	频率输出精确度±0.01%	AC测试信号准位10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度)

MOS电容CV特性测试实验平台

MOS电容CV特性测试实验平台概述

电容-电压(C-V)测量广泛用于半导体参数测试方面，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。

系统方案

普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。

进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。

系统优势

频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调；
高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%；
内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能;
兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试；
实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控；
扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配；

基本参数

LCR

测试频率

10Hz-1MHz

频率输出精确度

±0.01%

基本准确度

±0.05%

AC测试信号准位

10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度)

DC测试信号准位

10mV至2V (1m Vrms 解析度)

输出阻抗

100Ω

量测范围

|Z|, R, X

0.001mΩ–99.999MΩ

|Y|, G, B

0.1nS–99.999S

Cs、Cp

0.01pF – 9.9999F

Ls Lp

0.1nH–9.999kH

D

0.00001-9.9999

Q

0.1-9999.9

DCR

0.001mΩ–9.999MΩ

Δ%

-9999%-999%

θ

-180° -+180°

SMU

VGS范围

0 - ±30V(选配)

IGSS/IGES

≥10pA(选配)

VDS范围

0 - ±300V

0 - ±1200V

0 - ±2200V

0 - ±3500V

IDSS/ICES

≥10pA

≥1nA

源测精度

0.03%

0.1%

功能

测试方式

点测、图形扫描

测试参数

DIODE:CJ、IR、VR

MOSFET:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS

IGBT:Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES

接口

RS232、LAN

编程协议

SCPI、LabView

典型配置

源表	VGS/VGE	选配，S100/P100
	VDS/VCE	标配S300，可选P300/E100/E200/E300
LCR表	标配10Hz~1MHz频率，可选5MHz/10MHz
矩阵开关
上位机软件
其他	三同轴电缆、LAN线

MOS电容CV特性测试实验平台认准普赛斯仪表，普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！详询一八一四零六六三四七六；

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公司名	武汉普赛斯仪表有限公司	经营模式
注册资本	3000万人民币	公司注册时间	2019
公司所在地	湖北/武汉市	企业类型	企业单位 ()
保证金	已缴纳 0.00 元	资料认证
主营行业	仪器仪表 / 电子测量仪器 , 仪器仪表 / 专用仪器仪表 ,
主营产品或服务	仪器仪表、电子产品的研发、生产、销售；电子技术服务

陶女士(女士) [加为商友]

武汉普赛斯仪表有限公司: 级别|普通会员; 电话|; 邮件|; 地区|湖北 - 武汉市; 地址|东湖新技术开发区光谷大道308号光谷动力节能环保产业园10栋5楼; 咨询|[发送信件] [发送短信]; 认证| [诚信档案]

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测试频率	10Hz-1MHz
频率输出精确度	±0.01%
基本准确度	±0.05%
AC测试信号准位	10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度)
DC测试信号准位	10mV至2V (1m Vrms 解析度)
输出阻抗	100Ω
量测范围	\|Z\|, R, X	0.001mΩ–99.999MΩ			\|Y\|, G, B	0.1nS–99.999S
	Cs、Cp	0.01pF – 9.9999F			Ls Lp	0.1nH–9.999kH
	D	0.00001-9.9999			Q	0.1-9999.9
	DCR	0.001mΩ–9.999MΩ			Δ%	-9999%-999%
	θ	-180° -+180°
SMU
VGS范围	0 - ±30V(选配)
IGSS/IGES	≥10pA(选配)
VDS范围	0 - ±300V		0 - ±1200V	0 - ±2200V			0 - ±3500V
IDSS/ICES	≥10pA		≥1nA
源测精度	0.03%		0.1%
功能
测试方式	点测、图形扫描
测试参数	DIODE:CJ、IR、VR MOSFET:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS IGBT:Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES
接口	RS232、LAN
编程协议	SCPI、LabView