第三代半导体器件测试设备8000V高压

第三代半导体器件测试设备8000V高压特点和优势：

单台Z大3500V输出；

单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A；

15us的超快电流上升沿；

同步测量；

国标全指标的自动化测试；

可定制夹具；

nA级电流和uΩ级电阻测量；详询一八一四零六六三四七六；

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等；详询一八一四零六六三四七六；

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！