功率半导体行业测试设备-高电压大电流

 

   普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

 

IGBT测试系统图

 

 

 

    普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

 

 

 

“双高”系统优势

 

    高电压、大电流

 

    具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(可扩展至10kV)

 

    具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

 

    高精度测量

 

    nA级漏电流, μΩ级导通电阻

 

    0.1%精度测量

 

    模块化配置

 

    可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

 

    测试效率高

 

    内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

 

    支持国标全指标的一键测试

 

    扩展性好

 

    支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

更多有关功率半导体行业测试设备-高电压大电流详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六；武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展